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介電常數(shù)測定儀

簡要描述:介電常數(shù)測定儀適用于高分子復合材料、絕緣漆、尼龍制品材料、硅橡膠、硫化橡膠、橡膠、塑料、聚酯薄膜、聚四氟乙烯、環(huán)氧樹脂、電纜料、納米材料、導熱材料、硅膠片、絕緣材料、光伏材料、塑膠原料、高分析材料、功能膜材料、塑料制品、絕緣軟管、熱塑性塑料材料、板材和片狀材料、絕緣紙、軟管和軟套管、廣電新材料、聚合物材料、涂料涂層、纖維制品、PVA/PP/PE、通用塑料、工程塑料、塑料助劑

  • 產(chǎn)品型號:LDJD-C
  • 廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家
  • 更新時間:2024-06-28
  • 訪  問  量:2015

詳細介紹

品牌其他品牌價格區(qū)間2萬-5萬
應(yīng)用領(lǐng)域文體,石油,建材,電子,紡織皮革

 

LDJD-B 介電常數(shù)測定儀

LDJD-C 介電常數(shù)測定儀

測量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻

(包括米波波長在內(nèi))

下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的推薦方法.

 

  1. 范圍

本標準規(guī)定了在15Hz-300MHz的頻率范圍內(nèi)測量電容率、介質(zhì)損耗因數(shù)的方法,并由此計算某些數(shù)值,如損耗指數(shù)。本標準中所敘述的某些方法,也能用于其他頻率下測量。

本標準適用于測量液體、易熔材料以及固體材料。測試結(jié)果與某些物理條件有關(guān),例如頻率、溫度、濕度,在特殊情況下也與電場強度有關(guān)。

有時在超過1000V的電壓下試驗,則會引起一些與電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)無關(guān)的效應(yīng),對此不予論述。

  1. 規(guī)范性引用文件

下列文件中的條款通過本標準的引用而成為本標準的條款。凡是注日期的引用文件,其隨后所有的修改單(不包括勘誤的內(nèi)容)或修訂版均不適用于本標準,然而,鼓勵根據(jù)本標準達成協(xié)議的各方研究是否可使用這些文件的版本。凡是不注日期的引用文件,其版本適用于本標準。

IEC60247:1978 液體絕緣材料相對電容率、介質(zhì)損耗因數(shù)和直流電阻率的測量

  1. 術(shù)語和定義

下列術(shù)語和定義適用于本標準。

3.1  相對電容率 relative permittivity

εr

電容器的電極之間及電極周圍的空間全部充以絕緣材料時,其電容Cx與同樣電極構(gòu)形的真空電容C0之比:

           …………(1)

式中:

εr——相對電容率;

Cx——充有絕緣材料時電容器的電極電容;

C0——真空中電容器的電極電容。

在標準大氣壓下,不含二氧化碳的干燥空氣的相對電容率εr等于1.00053。因此,用這種電極構(gòu)形在空氣中的電容Ca來代替C0測量相對電容率εr時,也有足夠的精確度。

在一個測量系統(tǒng)中,絕緣材料的電容率是在該系統(tǒng)中絕緣材料的相對電容率εr與真空電氣常數(shù)ε0的乘積。

在SI制中,電容率用法/米(F/m )表示。而且,在SI單位中,電氣常數(shù)ε0為:

 …………(2)

在本標準中,用皮法和厘米來計算電容,真空電氣常數(shù)為:

      …………(3)

3.2  介質(zhì)損耗角 dielectric loss angle

δ

由絕緣材料作為介質(zhì)的電容器上所施加的電壓與由此而產(chǎn)生的電流之間的相位差的余角。

3.3  介質(zhì)損耗因數(shù)  dielectric dissipation factor

tanδ

損耗角δ的正切。

3.4  〔介質(zhì)〕損耗指數(shù)  [dielectric] loss index

εr

該材料的損耗因數(shù)tanδ與相對電容率εr的乘積。

3.5  復相對電容率  complex relative permittivity

εr

由相對電容率和損耗指數(shù)結(jié)合而得到的:

        ………………(3)

          ………………(4)

        ………………(5)

         ………………(6)

式中:

εr——復相對電容率;

εr”——損耗指數(shù);

εr’、 εr——相對電容率;

tanδ——介質(zhì)損耗因數(shù)。

注 :有損耗的電容器在任何給定的頻率下能用電容Cs和電阻Rs的串聯(lián)電路表示,或用電容Cp和電阻Rp或電導Gp )的并聯(lián)電路表示。

并聯(lián)等值電路               串聯(lián)等值電路

    

……(7)    ……(8)

式中:

Cs——串聯(lián)電容;

Rs——串聯(lián)電阻;

Cp——并聯(lián)電容;

Rp——并聯(lián)電阻。

雖然以并聯(lián)電路表示一個具有介質(zhì)損耗的絕緣材料通常是合適的,但在單一頻率下有時也需要以電容Cs和電阻Rs的串聯(lián)電路來表示。

串聯(lián)元件與并聯(lián)元件之間,成立下列關(guān)系:

     ………………(9)

    ………………(10)

    ………………(11)

式(9), (10), (11)中Cs、Rs、Cp、Rp、tanδ同式(7),(8)。

無論串聯(lián)表示法還是并聯(lián)表示法,其介質(zhì)損耗因數(shù)tanδ是相等的。

假如測量電路依據(jù)串聯(lián)元件來產(chǎn)生結(jié)果,且tanδ太大而在式(9)中不能被忽略,則在計算電容率前必須先計算并聯(lián)電容。

本標準中的計算和側(cè)量是根據(jù)電流(ω=2πf)正弦波形作出的。

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